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[发明专利]一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法-CN201610841507.9在审
发明人：涂准;白忠学;白喜军;王文华;魏国锋;杨正华;刘平虎 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开的一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法，包括步骤拉制并提出一段多晶；将加热功率提高到引晶功率以上，降低氩气流量，并将石英坩埚位置下降至引晶埚位以下以挥发杂质；调整氩气流量、设定节流阀开度后进行吹拂；重新调整石英坩埚位置并更换籽晶和重锤，调整石英坩埚转速和氩气流量；然后利用直拉单晶法执行引晶、放肩、等径、收尾、停炉工序，得到单晶棒材。本发明的一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法解决了现有的直拉单晶法拉晶过程中由于单晶炉台异常导致晶体成晶困难的问题，其通过对拉晶过程中步骤及参数的改变，降低晶体成晶难度，降低人员劳动强度，减少了生产成本，提高了单晶炉单晶成晶率和成品率。
一种提高直拉单晶法成晶率方法

[发明专利]一种直拉单晶法的冷却工艺-CN201210462789.3有效
发明人：周慧敏;高俊伟;汪奇;徐志群 -专利权人：晶科能源有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种直拉单晶法的冷却工艺，即在冷却时，停止向炉体内通入冷却气体，与此同时，关闭真空泵，这样，就形成了一个密闭的空间，炉体内的气体作为介质就可以把更多的热传给炉壁流动的水，冷却效率更高。本发明在保证直拉单晶硅棒质量、成晶率以及生产周期的前提下，不仅使直拉法冷却工艺更加高效明显，还大大降低了冷却气体的使用量，从而较大程度上降低直拉法的生产成本。
一种直拉单晶法冷却工艺

[发明专利]一种改善直拉单晶成晶方法-CN201910963840.0在审
发明人：吴树飞;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;赵国伟;刘振宇;王鑫;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种改善直拉单晶成晶方法，包括：在直拉单晶初期装料阶段依次向石英坩埚装入硅原料和碳酸钡粉；所述石英坩埚包括本体，所述本体包括透明层和气泡层，所述透明层和所述气泡层依次从内到外设置；在所述本体外壁设有外涂层本发明提出一种用于改善且适用于P型和N型单晶硅棒拉制的成晶方法，解决了现有技术多次在复投装料时进行重复撒入碳酸钡粉而使硅液中钡元素含量增加，导致直拉单晶成晶率低的技术问题，不仅可提高单晶拉制的成晶率，而且还可有效控制硅液中钡元素的含量
直拉单晶装料石英坩埚钡元素气泡层碳酸钡透明层硅液单晶拉制含量增加生产效率有效控制拉制硅原料外涂层外壁装入重复

[发明专利]一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺-CN201110226261.1有效
发明人：马四海;张笑天;丁磊;徐大国;马先松;马青 -专利权人：马鞍山明鑫光能科技有限公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺，包括引晶、放肩和转肩等径工艺过程，通过控制拉晶速度及降温速率，在转肩等径过程之前完成固液界面由凸转平过程。本发明方法有效地降低了单晶棒头部SIO4的形成，降低了头部电阻率，提高了单晶品质，适用于目前CZ直拉法生长的各尺寸单晶产品的生长。
一种 cz 直拉法太阳能生长工艺

[发明专利]基于直拉法生长单晶硅的方法-CN201710402193.7在审
发明人：张进 -专利权人：江苏拓正茂源新能源有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于直拉法生长单晶硅的方法，该直拉硅单晶生长方法主要步骤为：流程准备→装炉→抽空→捡漏→充氩气→加热→引晶→缩细颈→放肩→转肩→等径生长→收尾→降温→停电→停氩气→停真空泵→拆炉。本发明采用直拉法生长单晶的设备和工艺简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中的杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。
直拉法单晶生长单晶硅制备大直径单晶直拉硅单晶氩气等径生长低电阻率流程准备生产效率充氩气真空泵拆炉放肩细颈引晶装炉加热抽空收尾停电

[发明专利]拉制低光衰单晶的工艺及单晶、硅棒、硅片、电池及组件-CN202010585877.7在审
发明人：杨志;王建平;乌恩;王林;徐强 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种拉制低光衰单晶的工艺，在装料时，将多晶硅原料与掺杂剂装入坩埚内，进行直拉单晶；以及，在稳温至等径阶段，采用高晶转工艺，高晶转工艺为晶转大于10rpm；拉制多颗短段单晶。本发明的有益效果是采用直拉法进行单晶的拉制，在拉制单晶过程中，在拉制初始及复投、炉台异常时，加入掺杂剂，同时，在稳温至等径阶段，采用高晶转工艺进行单晶的拉制，并采用自动转肩工艺和多颗短段单晶拉制工艺，减少单晶的RRV不良，降低单晶衰减率。
拉制低光衰单晶工艺硅棒硅片电池组件

[发明专利]连续直拉单晶棒工艺-CN202010983585.9在审
发明人：陈五奎;陈昊;陈嘉豪;陈辉 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够实现单晶硅棒连续成晶，保证硅棒品质的连续直拉单晶棒工艺。该连续直拉单晶棒工艺采用连续直拉单晶炉，还包括以下步骤：S1、向双层坩埚的内层坩埚筒内添加硅料；S2、通过惰性气体进口通入惰性气体，然后由惰性气体吸气口吸出惰性气体；S3、通过石墨加热托盘、加热电阻实现对双层坩埚的加热；S4、通过拉伸装置对单晶硅棒进行拉伸成形；同时通过所述硅料加料装置向外层坩埚内添加颗粒硅料；S5、保证炉内的压力，保证炉体内的温度；S6、通过拉伸装置实现单晶硅的连续直拉。采用该连续直拉单晶棒工艺能够提高拉晶速度，增加硅棒单位时间产出，有效的降低产能，提高成晶率。
连续直拉单晶棒工艺

[实用新型]一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒-CN201721802617.0有效
发明人：杨东;梁永生;冉瑞应;李博一;金雪 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒，包括设置于单晶炉内排气孔位置的导气筒体，导气筒体上设置有用于向单晶炉内反射热量的反射片。本实用新型一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒安装于单晶炉的排气孔处，利用导气筒体上的钼片将热量反射回单晶炉炉膛内再次利用，有效避免了热量散失，从而降低了直拉法生产单晶硅的有效运行功率。
导气筒单晶硅单晶炉直拉法拉晶本实用新型炉膛生产内排气孔排气孔处热量反射热量散失有效运行再次利用反射片内反射钼片

[发明专利]一种基于直拉法单晶硅的提渣方法-CN202310877372.1在审
发明人：丁波;关树军;洪华;路建华 -专利权人：乐山市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于直拉法单晶硅的提渣方法，在制备单晶硅的熔料完成后操作提渣方法，依次包括以下步骤：步骤一：拉制一段单晶硅晶体，使单晶硅晶体脱离熔硅液面；步骤二：提高单晶炉的加热功率；步骤三：回熔单晶硅晶体的底端；步骤四：提渣及清除杂质；步骤五：清除杂质完成后，依次完成引晶、放肩、转肩、等径、收尾和停炉工序，得到拉制成型的单晶硅棒。使首次投料的引放次数有效的降低到平均1.5‑1.8次，首投更快的拉出后，对后面的循环段更有效，降低晶体成晶难度，降低人员劳动强度，减少了生产成本，提高了单晶炉单晶成晶率和成品率。
一种基于直拉法单晶硅方法

[发明专利]一种直拉单晶用新型籽晶及熔接工艺-CN201911121016.7在审
发明人：郭谦;张文霞;武志军;霍志强;钟旭;宋瑞强;景吉祥;李晓东;康学兵;高润飞;徐强;谷守伟 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉单晶用新型籽晶，包括依次同轴连接的一级晶段、二级晶段和三级晶段，其特征在于，还包括延长晶段，所述延长晶段置于所述三级晶段远离所述二级阶段一侧，所述延长晶段沿所述三级晶段轴线方向向外且与所述三级晶段一体连接设置，所述延长晶段为锥形结构，所述延长晶段的大径端面与所述三级晶段外径相同。本发明还提供一种直拉单晶用新型籽晶的熔接工艺。本发明提供的一种直拉单晶用新型籽晶，尤其是适用于至少一次熔接的单晶拉制，解决了现有技术中的籽晶容易导致扩肩或等径前期断苞的技术问题，有利于在熔接时减少对单晶生长的热冲击力，减少单晶生长时位错的产生，提高单晶一次成晶率，降低生产成本，提高单晶产能。
晶段籽晶直拉单晶熔接单晶生长单晶一体连接设置单晶拉制同轴连接轴线方向锥形结构产能大径等径时位冲击力

[发明专利]一种直拉单晶的拉晶方法-CN201510376772.X有效
发明人：杨林;陈立军;白忠学 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开的一种直拉单晶的拉晶方法，包括装料、化料、杂质提出、稳定化处理、引晶、放肩以及收尾七个步骤组成。本发明的一种直拉单晶的拉晶方法解决了品质较差的多晶硅在直拉单晶时存在的单晶拉制成本较高以及成品率较低的问题。本发明的一种直拉单晶的拉晶方法通过对拉晶过程中步骤及参数的改变，实现了将含杂质多的品质较差多晶硅原料的分离提出，从而提高了拉晶后的晶体品质，并且提升了拉晶成品率，达到了提高生产效率、降低生产成本的目的。
拉晶直拉单晶成品率多晶硅原料稳定化处理装料单晶拉制晶体品质生产效率多晶硅对拉放肩化料引晶收尾

[实用新型]一种用于直拉单晶的除尘导流筒-CN202320207792.4有效
发明人：洪学谦;鞠贵冬;黄晶晶;杨继;王碧怡;唐秭瑜 -专利权人：双良节能系统股份有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于直拉单晶的除尘导流筒，包括筒体和捕捉结构，所述筒体具有上开口部、内腔以及下开口部，所述捕捉结构与所述下开口部连接，且所述捕捉结构为朝向所述内腔内部卷曲形成的结构，且所述捕捉结构具有与所述筒体内壁对接的开口所述用于直拉单晶的除尘导流筒可以有效阻止挥发物被氩气吹入坩埚中，降低拉晶过程中成晶短线的几率，提高晶棒的成晶率和品质；所述用于直拉单晶的除尘导流筒可以将挥发物储存在捕捉结构中，待拆清时统一进行清洁处理，
一种用于直拉单晶除尘导流

[发明专利]一种制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法-CN201210059755.X无效
发明人：李建宏;菅瑞娟;张雪囡;徐强;王刚;汪雨田;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法，其特征在于，首先采用直拉法拉制硅多晶，且在拉晶前完成掺杂，然后将硅多晶进行机加工并退火后置于区熔炉内，通过区熔法进行单晶拉制，且在区熔法拉晶过程中通入定量的掺杂气体，掺杂气体通入量逐渐降低或升高；若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的尾部掺杂剂浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于本发明的多晶料棒的掺杂剂浓度均匀一致，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，综上所述，本发明相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，有效提高了区熔单晶径向电阻率的均匀性。
一种制造区熔硅单晶直拉区熔气掺法

[发明专利]一种提高直拉单晶纵向温度梯度的方法-CN202010329865.8在审
发明人：吴树飞;王林;高润飞;谷守伟;王建平;周泽;杨志;赵国伟;刘振宇;郝瑞军;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣;钟旭 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种提高直拉单晶纵向温度梯度的方法，包括在拉晶过程中，保持石英坩埚中固液界面与加热器的位置高度差为定值。本发明的有益效果是在较高的石英坩埚中固液界面与加热器的位置高度差，也即是提高埚位位置的同时，再提高装料总量，可提高直拉单晶过程中纵向的温度梯度，可控性高，提高单晶拉制品质的同时也提高了单晶的成晶率，降低生产成本
一种提高直拉单晶纵向温度梯度方法

[发明专利]一种直拉单晶硅方法-CN201710188098.1在审
发明人：肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉单晶硅方法，包括以下步骤：提供表面生长有氘掺杂氮化硅的硅片；将所述硅片与多晶硅碎块进行混合熔合；进行籽晶熔接；采用加磁场直拉法形成单晶硅锭。本发明还提供一种晶圆的形成方法，采用单晶硅锭作为原始材料形成晶圆，其中，所述单晶硅锭采用上述直拉单晶硅方法形成。本发明的直拉单晶硅方法可以较精确地控制硅单晶棒中的氮及氘浓度以及获得良好的掺杂均匀性。
直拉单晶硅单晶硅锭硅片碎块掺杂均匀性表面生长硅单晶棒原始材料氮化硅多晶硅直拉法晶圆熔合熔接种晶籽晶磁场掺杂

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